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英特尔发力10纳米
来源:新华网   发布者:尹海华   日期:2017-09-20   今日/总浏览:7/774

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昨日,英特尔在华首次发布10纳米晶圆,声称摩尔定律依然奏效,并称领先友商整整一代。

英特尔高管亮出的10纳米晶圆,拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,从而实现了业内最高的晶体管密度。它将于今年年底前正式投产,号称领先其他友商们的“10纳米”整整一代,以时间来算,则领先3年时间。

不同于以往的低调,这一次英特尔直接在PPT上与竞争对手台积电和三星PK。英特尔将10纳米技术密度进行了对比,称在栅极间距、最小金属间距等技术指标上都处于领先地位。

“老虎不说话,当我是病猫?”当被问及为啥直接吊打台积电和三星的时候,英特尔中国区总裁杨旭撂下这句话。

据称,10纳米比上一代的14纳米制程性能提升25%和降低45%的功耗。

英特尔“发狠”的背景是,全球芯片竞争格局正在发生微妙的变化。有消息称,由于移动设备和数据服务器对于芯片的强劲需求,三星预计将在本季度首次超越英特尔,成为全球第一大芯片制造商。

另外,摩尔定律是否失效是近两年来业界讨论的热门话题,英特尔称所掌握的超微缩技术将为摩尔定律正名,可以继续提升晶体管密度和降低单位成本,从而继续把摩尔定律向前推进。

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